Память на основе мемристоров появится в 2013 году
Компания HP в сотрудничестве с Hynix Semiconductor планирует выпустить память на основе мемристоров в качестве замены флэш-памяти летом 2013 года.
Принцип работы мемристора (название образовано из английских слов memory — память и resistor — резистор) был описан теоретически ещё в 1971 году ученым из калифорнийского университета в Беркли Леоном Чуа (Leon Chua). На создание первого рабочего образца элемента ушло 37 лет.
За последние три года портфель HP пополнили 500 патентов, касающихся новой технологии. Вильямс отметил, что разработку резистивной памяти (RRAM) на основе оксидов металлов ведут многие компании. В частности, в Samsung над созданием нового типа памяти участвует даже больше сотрудников, чем в HP.
По словам Вильямса, новая технология показывает столь убедительные результаты по энергопотреблению, скоростям чтения и записи, надёжности и долговечности, что в будущем может заменить используемую сейчас статическую и динамическую память с произвольным доступом (SRAM и DRAM).
Разрабатываемая технология превосходит существующую флэш-память по всем параметрам. Время чтения составляет менее 10 нс, время записи и стирания – около 0,1 нс. Память способна выдержать 10^12 циклов перезаписи и прослужит многие годы.
Положительной стороной мемристорной памяти является то, что для её производства необходимы те же материалы, что используются сегодня на фабриках по выпуску кремниевых пластин. В перспективе, это позволит добавить чип памяти объёмом 2 ГБ прямо на процессор, предположил Вильямс.
Другими качествами мемристоров является их применение в вычислительных схемах и использование в качестве аналога синапсов в нейронных сетях.
Вильямс отметил, что HP не собирается выходить на рынок производителей памяти, а будет извлекать прибыль от лицензирования разработки своим партнерам.
Преимущества мемристоров по сравнению с флэш-памятью огромны, время чтения информации из одной ячейки составляет 10 наносекунд, а время стирания и записи - 0.1 наносекунды. Данные, записанные в мемристоры, могут храниться годами, а каждая ячейка, согласно расчетам, без потери информации сможет выдержать 1,000,000,000,000 циклов стирания-записи. Плотность хранения данных в мемристорных микросхемах памяти увеличится по сравнению с флэш-памятью минимум в два раза, скорость - в 10 раз, а расход энергии уменьшится в 10 раз. И это при стоимости, такой же, как и стоимость флэш-памяти.
Новая память, ReRAM (Resistive Random Access Memory), согласно планам HP, появится на рынке уже к 2013 году. Немного позже на рынке станут появляться образцы мемристорной памяти, заменяющие память DRAM и SRAM, что позволит значительно ускорить процесс загрузки компьютеров.
Компания HP является не единственной компанией в мире, которая ведет работу в данном направлении. Над мемристорами и их использованием в качестве памяти ведет работу компания Samsung, так что можно надеяться, что благодаря конкуренции новые продукты на основе памяти ReRAM будут относительно недорогими и поэтому доступными.
Принцип работы мемристора (название образовано из английских слов memory — память и resistor — резистор) был описан теоретически ещё в 1971 году ученым из калифорнийского университета в Беркли Леоном Чуа (Leon Chua). На создание первого рабочего образца элемента ушло 37 лет.
За последние три года портфель HP пополнили 500 патентов, касающихся новой технологии. Вильямс отметил, что разработку резистивной памяти (RRAM) на основе оксидов металлов ведут многие компании. В частности, в Samsung над созданием нового типа памяти участвует даже больше сотрудников, чем в HP.
По словам Вильямса, новая технология показывает столь убедительные результаты по энергопотреблению, скоростям чтения и записи, надёжности и долговечности, что в будущем может заменить используемую сейчас статическую и динамическую память с произвольным доступом (SRAM и DRAM).
Разрабатываемая технология превосходит существующую флэш-память по всем параметрам. Время чтения составляет менее 10 нс, время записи и стирания – около 0,1 нс. Память способна выдержать 10^12 циклов перезаписи и прослужит многие годы.
Положительной стороной мемристорной памяти является то, что для её производства необходимы те же материалы, что используются сегодня на фабриках по выпуску кремниевых пластин. В перспективе, это позволит добавить чип памяти объёмом 2 ГБ прямо на процессор, предположил Вильямс.
Другими качествами мемристоров является их применение в вычислительных схемах и использование в качестве аналога синапсов в нейронных сетях.
Вильямс отметил, что HP не собирается выходить на рынок производителей памяти, а будет извлекать прибыль от лицензирования разработки своим партнерам.
Преимущества мемристоров по сравнению с флэш-памятью огромны, время чтения информации из одной ячейки составляет 10 наносекунд, а время стирания и записи - 0.1 наносекунды. Данные, записанные в мемристоры, могут храниться годами, а каждая ячейка, согласно расчетам, без потери информации сможет выдержать 1,000,000,000,000 циклов стирания-записи. Плотность хранения данных в мемристорных микросхемах памяти увеличится по сравнению с флэш-памятью минимум в два раза, скорость - в 10 раз, а расход энергии уменьшится в 10 раз. И это при стоимости, такой же, как и стоимость флэш-памяти.
Новая память, ReRAM (Resistive Random Access Memory), согласно планам HP, появится на рынке уже к 2013 году. Немного позже на рынке станут появляться образцы мемристорной памяти, заменяющие память DRAM и SRAM, что позволит значительно ускорить процесс загрузки компьютеров.
Компания HP является не единственной компанией в мире, которая ведет работу в данном направлении. Над мемристорами и их использованием в качестве памяти ведет работу компания Samsung, так что можно надеяться, что благодаря конкуренции новые продукты на основе памяти ReRAM будут относительно недорогими и поэтому доступными.
Источник: EETimes, 1nsk.